国内氮化硅基氧化钙应用现

氮化硅文献综述：研究进展、应用前景及挑战

2023年11月2日氮化硅是一种具有优异性能的材料，在过去几十年的研究中取得了巨大的进展。本综述对氮化硅文献进行了综合分析，从研究进展、应用前景及挑战等方面进行 2021年1月7日摘要：随着对氮化硅陶瓷研究的不断深入，其热学性能、介电性能有了极大的改善，使之可应用在电子器件等领域。总结了制备氮化硅陶瓷材料所使用的烧结助氮化硅陶瓷添加剂和制备工艺的研究进展

【芯版图】广州、深圳、东莞、珠海四箭齐发，大湾区第三代

2021年4月11日 1、【芯版图】广州、深圳、东莞、珠海四箭齐发，大湾区第三代半导体产业野心初现芯版图——探究国内集成电路布局“版图”，跟踪产业最新走向。广东是电子 2021年11月15日报告综述了氮化硅陶瓷的研究和发展历史，包括晶体结构、各种烧结工艺、力学性能和工业化应用，并讨论了目前国内氮化硅商业化生产亟需解决的问题。氮化硅陶瓷制备及应用进展科技处

高导热氮化硅陶瓷用烧结助剂的研究进展 USTB

摘要: 氮化硅被认为是综合性能最好的陶瓷材料，良好的导热性和优异的力学性能使其成为大功率电子器件用陶瓷基板的主流材料，在纯电动/混合电动汽车中得到广泛应用。烧结助 2020年1月1日因此，本文研究了用于临床应用的氮化硅陶瓷上TiO2以及SiO2和CaO的致密化，力学性能和体外生物学行为。结果表明，浸入模拟体液后，烧结样品达到较高的相氮化硅，二氧化钛，氧化钙和二氧化硅添加剂，用于骨科

JIANG Chengwei, SHA Yuanqing, YUAN Jialei, WANG

2021年1月25日由于氮化镓外延层与硅衬底之间存在晶格失配，导致氮化镓外延层内部存在较高的位错密度，其降低了氮化镓外延层中载流子的迁移率，增加了LED器件的整体扩 2022年5月30日半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅325eV、氮化镓34eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β氧半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？

高导热氮化硅陶瓷用烧结助剂的研究进展 USTB

烧结助剂对氮化硅烧结活性、微观组织和第二相成分及含量影响较大，进而影响陶瓷导热性能，选择合适的烧结助剂对制备高导热氮化硅陶瓷非常重要。本文整理了目前制备高导热氮化硅陶瓷用烧结助剂研究现状，分析了烧结助剂对氮化硅陶瓷导热性及力学 2021年2月18日但是随着氮化铝制备技术的不断发展，其成本必定会有所降低，氮化铝陶瓷基板在大功率LED领域大面积应用指日可待。参考来源： [1]程浩，陈明祥等电子封装陶瓷基板 [2]郑彧高导热氮化硅陶瓷基板氮化硅PK氮化铝，谁才是最具有发展前途的基板材

国内外雷达天线罩技术发展历史 RF/无线电子发烧友网

2023年8月21日国内外雷达天线罩技术发展历史随着雷达大量应用于陆、海、空三军及民航、气象等领域，雷达天线罩的应用也日益广泛。天线罩是雷达的重要组成部分，被称为雷达系统的“电磁窗口”。它在雷达天线的周围形成一个封闭的空间，以保护雷达天线系统免 Explore Zhihu's column for free expression and writing on diverse topics, from personal experiences to professional insights知乎专栏随心写作，自由表达知乎

雷达天线罩行业深度研究电子工程专辑

2023年8月21日国内哈尔滨工业大学、山东工业陶瓷研究设计院、中科院上海硅酸盐研究所对氮化硼、氮化硅、氮化铝陶瓷及其复相陶瓷进行了深入研究。高超声速导弹天线罩要求材料具有优异的力学、介电、耐烧蚀及抗热冲击性能，现有的材料体系仅有连续纤维增强陶瓷基复合材料能够满足高超声速导弹天线罩知乎专栏提供一个自由表达和随心写作的平台，让用户分享知识和经验。知乎专栏随心写作，自由表达知乎

科普：雷达天线罩行业深度研究（12万字长文）电子工程专辑

2021年7月15日国内哈尔滨工业大学、山东工业陶瓷研究设计院、中科院上海硅酸盐研究所对氮化硼、氮化硅、氮化铝陶瓷及其复相陶瓷进行了深入研究。高超声速导弹天线罩要求材料具有优异的力学、介电、耐烧蚀及抗热冲击性能，现有的材料体系仅有连续纤维增强陶瓷基复合材料能够满足高超声速导弹天线罩 Explore the advantages and challenges of OLED technology, focusing on its simple structure, lightweight design, high color saturation and contrast, low power consumption, and potential for flexible displays知乎专栏

硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状

2005年10月14日硅基集成电路发展及其面临的问题为了促进市场的扩展和提高竞争力，硅基集成电路的集成度一直以近似摩尔定律的速度提高，即单位面积硅芯片上的晶体管数目每过1 至#% 个月就增长一倍，以满足不断提高的技术要求/ 这些要求包括：高速度、低静态氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。具有高强度、低密度、耐高温等性质。Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为[ SiN4 ] 氮化硅陶瓷百度百科

【国家重点实验室专刊】硫化氢深度吸附材料的研究进展活性炭

15:34 硫化氢深度吸附材料的研究进展于涛 1 王运东 1 刘作华 2 马建修 3 靖宇 3 摘要目前硫化氢（H 2 S）日益成为制约工业化发展的一个重要因素，即使在较低的浓度下仍会破坏环境、腐蚀设备。如何能将含硫气体清洁、高效、深度脱除已成为国内外 A platform for writers to freely express themselves and share their work with others知乎专栏随心写作，自由表达知乎

钠离子电池：从基础研究到工程化探索 CIP

2020年1月22日摘要：近年来，对低成本储能技术日益增长的需求促使越来越多的科研人员和工程师加入到钠离子电池基础研究和工程化探索的事业中来，钠离子电池以可观的速度在近10年内快速成长。本文首先分析了全球锂资源形势，尤其是我国锂资源存在的潜在风险 2021年11月26日在实际应用中，钙基材料热化学储能系统需要与其他系统整合，以达到节约能源，并将能源转化为可用电能的目的。粉体网编辑期待，钙基材料储能系统在太阳能发电领域不断发挥超强热量，持续助力清洁能源事业发展。碳酸钙、氧化钙“神助攻”太阳能发电厂——钙基热化学储能

2024年度省科技重大专项项目指南

3 天之前 2004 94GHz频段硅基CMOS亚太赫兹相控阵芯片和天线研发研发内容：面向6G固定无线接入和沉浸式通信等应用场景，研发硅基CMOS亚太赫兹相控阵芯片和大规模阵列天线。具体包括：研究亚太赫兹频段硅基CMOS器件建模和性能提升技术以及2022年5月30日半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，与碳化硅325eV、氮化镓34eV的带隙相比，氧化镓分为α、β、γ、δ和ε五种结晶形态，其中最为稳定的是β氧半导体材料超新星“氧化镓”，中外研究进展如何？

高导热氮化硅陶瓷用烧结助剂的研究进展 USTB

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